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板状缺陷和{311}缺陷相关论文
氮和氢离子注入单晶硅引起的损伤研究
高剂量气体离子注入单晶Si会在材料内部产生各种损伤,如气泡、板状缺陷、空腔、非晶化,经退火处理后还可以导致表面发泡、剥离等表面......
学位
离子注入
单晶硅
两层损伤
氮和氢离子注入
表面发泡与剥离
板状缺陷和{311}缺陷
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